第三代半导体材料功率器件是未来高性能功率器件的重要组成部分之一。研发团队在宽禁带半导体研究上有丰富的经验,相继研发了并联SiC的GBT及宽禁带场效应晶体管目前量产的并联SsiC二极管的新一代高速GBT,大幅改善了Eon、trr、Qr和Qg等特性,适合在追求极限效率的系统中使用,支持80100kHz的高速开关和图腾柱无桥PFC应用