推出的第二代、第三代超结MOSFET系列产品，打破了传统平面VDMOS的硅极限，使得导通电阻与击穿电压的关系得到了极大的改进，由传统的2.5次方变为线性关系，极大的优化了器件的品质因数FOM（Rdson*Qg），比传统VDMOS具有更快的开关速度，更低的开关损耗，更优的转换效率；第二代及第三代超结MOSFET分别针对性的优化了EMI特性、产品特征导通电阻特性，同时，也带来了DFN 8*8、TO-247等多种多样的封装形式，全面适用于照明应用、各类电源、适配器、手机、电脑等多种应用场景； 第二代及第三代超结同时推出了快恢复系列产品，极大的缩短了超结MOSFET的反向恢复时间，提高了反向恢复能力，降低了反向恢复损耗，适用于半桥、全桥等拓扑电路中，可应用于各种大功率电源、充电桩等产品中。