沟槽式金属氧化物场效应晶体管（ Trench MOSFET ）与传统VDMOS相比，具有更低的导通电阻Rdson和栅漏电荷密度，从而可实现更低的导通和开关损耗及更快的开关速度。LVMVMOS通过采用先进的沟槽技术和芯片布局，可应用于工作频率小于100kHz的各种应用领域，很好的补充的SGT系列产品，具有抗冲击能力强，输出效率高，成本低等特点；结合先进的封装技术，可实现更高的输出功率和可靠性，同时拥有各种小封装产品可进一步提高电路集成度。