特性

1、开关速度快

2、功耗低

3、动态范围大

4、输入阻抗高

5、热稳定性好

6、耐辐射性能好

7、抗干扰能力强

8、可制成大面积集成

9、成本低

10、体积小、重量轻

11、可靠性高

12、寿命长

13、易于大规模生产

14、应用领域广泛 应用 在数字集成电路中用作开关元件；在模拟电路中用作放大器和振荡器。

场效应管的主要参数有：

工作电压、电流放大倍数、最大允许耗散功率等。 工作原理 单个mos管的结构如图1所示。当加正向电压时，空穴由耗尽层注入到源漏端形成n+区；反之加反向电压时则相反形成n-区。当外加正偏电压uab时，源漏端的电场强度增加使电子向源侧移动而离开漏端进入集电区成为自由电子并产生一个由该点开始按正弦规律变化的电场e=ebvgdibgh称为反相饱和电流idr 。由于这个电流是由反向饱和电流idr产生的所以称之为反相饱和电流idtr ，简称逆流子顺流迁移率（cefr），单位是cm2/v. 当外加负向电压vi 时则发生相反的现象即电子由集电级流向?

mos管是什么，有什么作用的相关图

级从而形成一个正的反馈磁场fe=fesbvc称为同相饱和电流isr 。此时若再施加正向电压vdd 则将出现一个与前述反向饱和现象相反的逆向流动情况即从集电级流入到发射级的电子经负载电阻作用变为顺向流动状态这时便产生了自激振荡现象其频率随激励信号的变化而改变这种自激振荡被称为"雪崩"（avalanche）现象这是mos 管特有的基本物理现象之一也是其具有高频响应和较高开关速度的主要原因之一 图2给出了两个典型的金属氧化物半导体器件的结构框图及其等效符号见图3。其中a表示沟道增强型的mos 管 b 表示耗尽型的mos 管 a 的结构 作者：番茄酱爆西红柿