采用电荷平衡原理，使得N型漂移区即使在较高掺杂浓度的情况下也能实现较高的击穿电压，从而获得较低的导通电阻，打破传统功率MOSFET的硅极限。 SGT产品具有栅漏电容(Cgd)小，开关损耗低 ,优值（FOM）低，抗大电流冲击能力（EAS）强等特点，结合先进的封装技术增加了源极金属的接触面积，减少封装寄生电阻，增强了器件高温工作状态下的散热性能。